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LID <1 %（IEC 60904-22，60 kWh/m²）。LeTID <0.5 %，经过162小时在75 °C/1,000 W/m²下（Fraunhofer CSP协议）。掺镓晶片 + 再生烘烤。
在400–1,100 nm波长范围内，量子效率>92%。在200 W/m²条件下：Vmppt位移<3%，填充因子>77%。完整IV曲线（100–1,000 W/m²）见数据表附录B。
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